无掩膜激光直写光刻系统MicroWriter ML

型号：MicroWriter ML
更新时间：2016-05-31
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英国DMO公司在2013年新年伊始之际，发布了Microwriter系列无掩模激光直写系统的产品更新消息。本次更新不仅升级了现有型号，还为Microwriter系列增加了两名新成员：Microwriter Baby和Microwriter Baby+。

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英国DMO公司在2013年新年伊始之际，发布了Microwriter系列无掩模激光直写系统的产品更新消息。本次更新不仅升级了现有型号，还为Microwriter系列增加了两名新成员：Microwriter Baby和Microwriter Baby+。这两款新产品均为台式激光直写机，占地面积zui小只有25cm*25cm，配合一台笔记本电脑，无需组装调试，即可使用。可以100mm²/min的直写速度进行分辨率达1um的直写任务。

此外Microwriter ML的升级版Microwriter II不仅继承了Microwriter ML的高直写速度、分辨率等主要优点，更进一步提高对准精度达200nm, 增加了256级的灰度直写功能，以及1um激光的TURBO模式和2.5um、10um可选分辨率等强大功能。下表为Microwriter系列产品技术参数对比。

无掩膜激光直写光刻系统

MicroWriter ML 优势

? 高分辨率：0.6μm

? 高书写速度：180mm²/min

? 超广基片尺寸兼容范围：1mm x 1mm~230mm x 230mm

? 全自动光路系统，用户无需做任何复杂费时的光路调节

? 简单易用的专用操作控制以及掩模板设计软件

无掩膜激光直写光刻系统MicroWriter ML^TM是一款设计的激光直写光刻系统，不仅具有无掩模板直写系统的灵活性，还拥有高书写速度和低成本的特点。15个蓝光激光头可以在电脑控制下进行平行工作对基片上无需高分辨率的部分进行高速书写曝光，之后自动切换高分辨激光，并对需要高分辨的细节进行加工。这样的设计在加工速度和分辨率之间取得了的平衡，并通过软件改变曝光图案设计完整保证了其灵活性。

通过15个激光同时平行工作，书写速度达180min/min
高达600nm分辨率
样品尺寸从1mm 到230 mm
对表面不平样品自动对焦补偿
占地面积小
高性价比

MicroWriter ML^TM是一款设计的激光直写光刻系统，不仅具有无掩模板直写系统的灵活性，还拥有高书写速度和低成本的特点。15个蓝光激光头可以在电脑控制下进行平行工作对基片上无需高分辨率的部分进行高速书写曝光，之后自动切换高分辨激光，并对需要高分辨的细节进行加工。这样的设计在加工速度和分辨率之间取得了的平衡，并通过软件改变曝光图案设计完整保证了其灵活性。

内置自动对焦系统通过调节基片台在Z方向的位置，对基片上的红色激光斑进行自动对焦。只需单击软件上的对焦键就能完成对新放入的基片对焦。与一些其他自动对焦系统对基片zui小尺寸有要求不同，MicroWriter ML^TM的自动对焦可以用到极小的样品上，非常适用于对单个压模的书写。

对于表面不平的基片，可以在曝光之前对其表面测绘，之后进行曝光的同时中可以自动校正对焦。

确切的书写速度取决于曝光图案。大部分研发用图案是由大面积区域（线、带、块）和少量的细小尺寸结构组成的。MicroWriter ML^TM非常适用于这类应用。在这种情况下，使用“turbo”模式，通过自动结合高速平行书写和高分辨书写，可以的得到180mm²/min的有效书写速度。对于需要进行大面积细小结构书写的基片，曝光时间会相应增长。

zui大可以放入230mm直径基片，可以保证200mm x 200mm范围内的准确曝光。zui小基片尺寸为 1mm²。基片由真空夹从底部固定，zui大基片厚度为15mm。

基本配置包括一个1μm分辨率的激光头和15个5μm分辨率的激光头。一个0.6μm分辨率的激光头可以作为选件添加（OPT-HIRES）。上为分辨率测试结构图。单臂结构在半径中点以外被区分出来，4μm内包括1μm臂宽和2μm的周期。

具有不同曝光性质的多组曝光任务可以被结合起来。例如，用1μm激光得到一条微小的微米线，再用5μm激光得到大面积连接片并使其连接到微米线上。：光学显微图（左）和扫描激光显微图（右）显示通过两个曝光任务（下图）得到的微米线连接大尺寸连接片的图形。两个图片都是通过MicroWriter ML^TM内置显微镜得到。

MicroWriter ML^TM内置的Clewin 4掩模板设计软件（见图11），可以用于设计多层掩模板文件，同时可以读取多种标准图形格式（DXF, CIF, GDSII, Gerber）的设计文件。基片设计可以做步进模拟，比如设计一个单独图案然后在整个基片范围内重复运用，或者对整个基片进行整体设计，以便减少拼接误差。与电子束刻蚀系统不同，MicroWriter ML^TM不存在书写范围限制（取决于基片尺寸）。为了简化掩模板设计，MicroWriter ML^TM可以直接读取.TIFF,.BMP等图片格式。

绝大多数利用电子束刻蚀制造的器件只有很小的一部分结构需要用到电子束刻蚀的高分辨率，而大部分曝光时间都浪费在了如电极连接等大面积结构的生成上。MicroWriter ML^TM可以被用在混合模式刻蚀工艺上：只用费用昂贵、速度缓慢的电子束刻蚀加工zui细小的结构，用成本低廉的MicroWriter ML^TM加工大面积部分。MicroWriter ML^TM先进的对准机制可以使两部工序*结合。因此MicroWriter ML^TM也适用于已经拥有电子束刻蚀的实验环境。