核壳结构量子点的“釜内生长”：反应釜参数对荧光量子产率的影响

　　核壳结构量子点的荧光性能，高度依赖于其“釜内生长”的精细控制。这一过程如同在分子级别的反应釜中为核“量身定制”一件的外壳，而反应温度、前驱体注入策略及时间等釜内参数，直接决定了外壳的包裹质量与最终的荧光量子产率。

　　温度：结晶动力学与界面缺陷的平衡术

　　反应温度是首要核心参数。壳层生长存在一个“黄金温度窗口”。温度过低时，前驱体反应动力不足，导致壳层结晶性差、覆盖不均，无法有效钝化核表面的悬空键，量子产率低下。温度过高则可能引发原子剧烈扩散，导致核壳界面合金化甚至破坏核的结构，引入新的非辐射复合中心。更危险的是，过高的温度会诱发奥斯特瓦尔德熟化，使小尺寸的核被溶解，而大尺寸的核过度生长，最终形成尺寸不均、缺陷众多的异质结构。因此，精确的温度控制是实现高质量外延生长、获得高量子产率的前提。

　　前驱体注入策略与时间：精准的“分子外科手术”

　　壳层前驱体的注入速率和浓度，共同决定了生长模式。单次快速注入易导致爆发性成核，在溶液中形成独立的壳层纳米晶，而非包裹在核上，造成资源浪费并引入杂质。而缓慢滴加或使用低活性前驱体的“注射泵”模式，能确保壳层材料优先在核的晶格上外延生长，实现均匀、致密的包裹。同时，生长时间必须与目标壳层厚度精准匹配。时间过短，壳层太薄，钝化效果不彰；时间过长，则因晶格失配积累的应力会引发位错等界面缺陷，同样导致量子产率下降。

　　结论

　　综上所述，通过精确协同调控反应釜的温度、前驱体注入策略与生长时间，才能引导壳层材料实现理想的外延生长模式，最大限度地钝化核表面的非辐射复合中心，从而制备出接近理论极限荧光量子产率的高性能核壳结构量子点。