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化学气相沉积系统MPCVD具有什么普遍的特点

发表时间:2021-08-18      点击次数:746
    微波等离子化学气相沉积系统MPCVD炉,通过等离子增加前驱体的反应速率,降低反应温度。适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量硬质薄膜和晶体。

 


   化学气相沉积法之所以得到发展,是和它本身的特点分不开的,其特点如下:
   1、沉积物种类多: 可以沉积金属薄膜、非金属薄膜,也可以按要求制备多组分合金的薄膜,以及陶瓷或化合物层。
   2、CVD反应在常压或低真空进行,镀膜的绕射性好,对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔都能均匀镀覆。
   3、能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜镀层。
   4、由于薄膜生长的温度比膜材料的熔点低得多,由此可以得到纯度高、结晶*的膜层,这是有些半导体膜层所必须的。
   5、利用调节沉积的参数,可以有效地控制覆层的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度等。
   6、设备简单、操作维修方便。
   7、反应温度太高,一般要850-1100℃下进行,许多基体材料都耐受不住CVD的高温。采用等离子或激光辅助技术可以降低沉积温度。

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