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高温高压光学浮区炉

  • 型   号:
  • 更新时间:2017-05-23
  • 访问次数:564
  • 价   格:

高温高压光学浮区炉
能够提供2200–3000℃以上的生长温度,晶体生长腔可Z大压力可达300Bar,甚以及10-5mBar的高真空。适用于生长各种超导材料单晶,介电和磁性材料单晶,氧化物及金属间化合物单晶等

高温高压光学浮区炉

高温高压光学浮区炉能够提供2200–3000℃以上的生长温度,晶体生长腔可zui大压力可达300Bar,甚以及10-5mBar的高真空。适用于生长各种超导材料单晶,介电和磁性材料单晶,氧化物及金属间化合物单晶等。

竖直双镜设计,采用高照度短弧氙灯
       熔区温度:zui高>3000℃
       熔区压力:10-5 mbar 至 300 bar
       多路独立气体流量和气压控制

       丰富的可升级选件

耐高温、耐高压、高真空、高透光率、    由德国弗劳恩霍夫应用光学和精密工程研究所优化设计的高反射 拆装简便、带样品污染保护的石英样品腔   率镜面,镜体位置和角度可由高精度步进马达控制调节

 

主要技术参数:
  

熔区温度

zui高2000 - 3000℃以上

熔区压力

zui大1050100150300 bar可选

熔区真空

1*10-2 mbar或 1*10-5 mbar可选

熔区气氛

ArO2N2等可选

气体流量

0.25 – 1 L/min流量可控

氙灯功率

3kW 至 15kW可选

料棒台尺寸

6.8mm 或 9.8mm可选

拉伸速率

0.1-200 mm/h

调节速率

0.6 mm/s

拉伸尺寸

zui大195mm

旋转速率

0-150 rpm

用电功率

400V三相 63A 50Hz

水冷功率

大于8kW

主机尺寸

302cm*163cm*92cm

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